图1:某型号60WGaAsFET的内部结构这款晶体管放大器可以提供EMC领域的基础标准IEC61000-4-3和IEC61000-4-6所强调的很好的线性度,如图2所示。图2:某晶体管的输入输出线性度这个晶体管可以在工作频率范围内提供所需的功率,它的输出功率与频率的关系如图3所示,四川优势射频功率放大器制定。图3:某晶体管的输出功率与频率的关系3.射频微波功率晶体管采用的半导体材料的类型在用于EMC领域的功率放大器中会用到不同种类的晶体管,下面对典型的晶体管及其工作特性进行简单介绍,由于不同种类的半导体材料具有不同的特性,功率放大器的设计者需要根据实际需求进行选择和设计。在射频微波功率放大器中采用的半导体材料主要包括以下几种。双极结型晶体管(BJT)双极性结型晶体管(bipolarjunctiontransistor,BJT)就是我们通常说的三极管,四川优势射频功率放大器制定,四川优势射频功率放大器制定,是一种具有三个端子的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。这种晶体管的工作,同时涉及电子和空穴两种载流子的流动,因此它被称为双极性的,所以也称双极性载流子晶体管。常见的有锗晶体管和硅晶体管,可采用电流控制,在一定范围内,双极性晶体管具有近似线性的特征。功率放大器按照工作状态分为线性放大和非线性放大两种非线性放大器 效率比较高而线性放大器的效率比较低。四川优势射频功率放大器制定
本申请涉及射频处理技术领域,具体涉及一种移动终端射频功率放大器检测方法及装置。背景技术:通话是移动终端的为基本的功能之一,射频功率放大器(rfpa)是发射系统中的主要部分,其重要性不言而喻。在发射机的前级电路中,调制振荡电路所产生的射频信号功率很小,需要经过一系列的放大(缓冲级、中间放大级、末级功率放大级)获得足够的射频功率以后,才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率,必须采用射频功率放大器。在调制器产生射频信号后,射频已调信号就由射频放大器将它放大到足够功率,经匹配网络,再由天线发射出去。由于现有技术中的所支持的射频频段众多,每个频段所使用的射频功率放大器配置可能有所差异,虽然由移动终端的软件写入了相关的配置指令,由于指令发出总是存在先后关系,在现有技术中往往需要在配置频段时在所有射频功率放大器启动指令发出后再延迟一个时间(例如)认为已经配置完成,再进行下一步操作。例如,在第,此时需要向4个依次射频功率放大器发出启动指令,然后等待,开始下一步操作,但其实这个,很可能在。因此,现有技术存在缺陷,有待改进与发展。技术实现要素:本申请实施例提供一种移动终端射频功率放大器检测方法。湖南L波段射频功率放大器定制在所有微波发射系统中,都需要功率放大器将信号放大到足够的功 率电平,以实现信号的发射。
通过微处理器发出的第五控制信号和第六控制信号,控制电压源档位的切换,可切换第三mos管的栅极电压,从而调节驱动放大电路的放大倍数。通过调节驱动放大电路的放大倍数使射频功率放大器电路处于不同的增益模式中。第二电压信号vcc用于给第二mos管和第三mos管的漏级供电,其中,通过微处理器控制vcc的大小。在一些实施例中,当第二mos管和第三mos管的沟道宽度为2mm时,微控制器控制vcc为,控制电流源为12ma,控制电压源为,使射频功率放大器电路实现非负增益模式;微控制器控制vcc为,控制电流源为2ma,控制电压源为,使射频功率放大器电路实现负增益模式。显然,可以设置更多的电压源的档位和电流源的档位,通过切换不同的电压源档位、电流源档位,并对第二mos管和第三mos管的漏级的供电电压vcc进行控制,从而实现增益的线性调节。需要说明的是,第二偏置电路与偏置电路结构相同,其调节方法也与偏置电路相同,当第四mos管和第五mos管的沟道宽度为5mm时,微控制器控制第四mos管对应的电流源为45ma,控制第五mos管对应的电压源为,使射频功率放大器电路实现非负增益模式;微控制器控制第四mos管对应的电流为6ma,控制第五mos管对应的电压源为。
nmos管mn14和nmos管mn16构成一个共源共栅放大器。在每个主体电路率放大器源放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的输出端,功率放大器栅放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的第二输出端。如图3所示,nmos管mn05的栅极通过电阻r03连接自适应动态偏置电路的输出端vbcs_pa,nmos管mn06的栅极通过电阻r04连接自适应动态偏置电路的输出端vbcs_pa;nmos管mn13的栅极通过电阻r08连接自适应动态偏置电路的输出端vbcs_pa,nmos管mn14的栅极通过电阻r09连接自适应动态偏置电路的输出端vbcs_pa。如图3所示,nmos管mn07的栅极通过电阻r05连接自适应动态偏置电路的第二输出端vbcg_pa,nmos管mn08的栅极通过电阻r05连接自适应动态偏置电路的第二输出端vbcg_pa;nmos管mn15的栅极通过电阻r10连接自适应动态偏置电路的第二输出端vbcg_pa,nmos管mn16的栅极通过电阻r10连接自适应动态偏置电路的第二输出端vbcg_pa。在主体电路率放大器源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接,功率放大器栅放大器的漏极连接第三变压器的原边。如图3所示,nmos管mn05的栅极、nmos管mn06的栅极为功率放大器的输入端,nmos管mn05的栅极、nmos管mn06的栅极与激励放大器的输出端连接。随着无线通信/雷达通信系统的发展对固态功率放大器提出了新 的要求:大功率输出、高效率、高线性度、高频率.
射频功率放大器的关闭状态的电阻值即射频功率放大器自身的电阻值;检测到射频功率放大器开启时,其匹配电阻生效,射频功率放大器的开启状态的电阻值即匹配电阻的电阻值。匹配电阻跟射频功率放大器可以连接,将射频功率放大器的控制端接入匹配电阻的控制端;匹配电阻跟射频功率放大器也可以不连接,直接将匹配电阻设置在射频功率放大器的内部。其中,射频功率放大器的状态对应的电阻值存储在移动终端的存储器,计算出射频功率放大器的电阻值后,可根据存储器存储的对应关系得知射频功率放大器的状态。102、计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值。例如,预先将射频功率放大器的输出端同步连接到射频功率放大器检测模块,在移动终端进行频段切换时,通过计算射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值,从而获取此时射频功率放大器的状态。每个射频功率放大器对应连接一个射频功率放大器检测模块。其中,设置一个计算电阻r0,计算电阻r0的一端与电源电压vdd相连,计算电阻r0的另一端与射频功率放大器的一端相连,多个射频功率放大器并联,射频功率放大器的另一端与接地端相连,计算电阻r0与射频功率放大器的连接之间设置处理器。其中。微波固态功率放大器通常安装在一个腔体内,由于频率高,往往容易产生寄 生藕合与干扰。湖南L波段射频功率放大器定制
功率放大器一般可分为A、AB、B、c、D、E、F类。四川优势射频功率放大器制定
gr为基站的接收机天线增益,单位为分贝;rs为接收机灵敏度,是在可接受的信噪比(signaltonoiseratio,snr)情况下,系统能探测到的小的射频信号。rs的计算可以参见公式(3):rs=-174dbm/hz+nf+10logb+snrmin(3);其中,-174dbm/hz为热噪声底限;nf为全部接收机噪声,单位为分贝;b为接收机整体带宽,snrmin则为小信噪比。一般来说,射频功率放大器电路存在高功率模式(非负增益),率模式(非负增益)和低功率模式(负增益)这三种模式。由于射频收发器的线性功率输出范围为-35dbm~0dbm,因此,若超出这一范围,信号将产生非线性。当射频功率放大器电路工作在高功率模式时,需要射频功率放大器电路的饱和功率为,此时信号将产生非线性,其功率需要小于,此时射频功率放大器电路的线性增益为30db,因此,其线性输出功率范围为:-5dbm~。当射频功率放大器电路工作在率模式时,需要射频功率放大器电路的饱和功率为20dbm,此时信号将产生非线性,其功率需要小于10dbm才能实现线性输出,此时射频功率放大器电路的线性增益为15db,因此,其线性输出功率范围为:-20dbm~10dbm。当射频功率放大器电路工作在低功率模式(负增益)时,需要射频功率放大器电路的饱和功率为5dbm。四川优势射频功率放大器制定
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