则该阻抗与rfin端的输入阻抗zin共轭匹配,zin=r0-jx0;加入可控衰减电路后,在输入匹配电路101之前并联接地的r2和sw1所在的支路中,为保证有效的功率衰减,r2一般控制得较小,故对r0影响可以忽略。sw1关断时,r2和sw1所在的支路可以等效成寄生电抗xc,此时,可控衰减电路和输入匹配电路的等效阻抗zeq=(r0+jx0)//jxc+jxl,其中,“//”表示并联,zeq的实部小于r0,为了使等效阻抗与输入阻抗尽可能的匹配,减少影响,需要zeq的虚部im(zeq)=x0,在r0、x0和xc的数值已知的情况下,根据等效阻抗zeq的表达式可以计算出xl,进而得到电感l1的电感值,其中,由于电感l1被集成在硅基芯片上,所以电感l的品质因数q值一般不大于5。为了进一步提高电路实用性,并提高射频耐压和静电保护能力,本申请实施例的进一步形式是将并联支路的r换成sw2(如图4所示),通过控制sw1和sw2的栅极的宽长比控制导通的寄生电阻和关断的寄生电容以及esd能力。换句话说,广西定制开发射频功率放大器研发,在做设计时控制sw1和sw2的栅极的宽长比w/l,可以获得期望的ron,其中:开关导通的电阻:ron=1/(μ*cox*(w/l)*(vgs-vth)),其中,*表示乘号,广西定制开发射频功率放大器研发,μ是指电子迁移率,广西定制开发射频功率放大器研发,cox是指单位面积的栅氧化层电容,w/l是指cmos器件有效沟道长度的宽长比。AB类功率放大器在一个周期的50%和loo%的某段时间内导通这 取决所选择的偏置大小效率和线性度介于A和B类。广西定制开发射频功率放大器研发
横坐标为输出功率pout,曲线41对应自适应动态偏置电路提供给共栅放大器的栅极偏置电压,曲线42对应自适应动态偏置电路提供给共源放大器的栅极偏置电压。图5示例性地示出了本申请实施例提供的高线性射频功率放大器对应的imd3(thirdorderintermodulation,三阶互调)曲线图51,以及现有的射频功率放大器对应的imd3曲线图52,根据曲线51和曲线52,可以看出本申请实施例提供的高线性射频功率放大器的imd3得到了提高(增幅为△imd3),横坐标为输出功率pout。显然,上述实施例是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。海南短波射频功率放大器技术功率放大器按照工作状态分为线性放大和非线性放大两种非线性放大器 效率比较高而线性放大器的效率比较低。
是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“”、“第二”、“第三”用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电气连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,还可以是两个元件内部的连通,可以是无线连接,也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。此外,下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成就可以相互结合。请参考图1,其示出了本申请实施例提供的一种高线性射频功率放大器的结构示意图。该高线性射频功率放大器包括功率放大器、激励放大器、匹配网络和自适应动态偏置电路。自适应动态偏置电路用于根据输入功率等级调节功率放大器的输出栅极偏置电压。功率放大器通过匹配网络和激励放大器连接射频输入端rfin。
当第二子滤波电路包括第二电容c2以及第二电感l2时,第二电容c2与第二电感l2的谐振频率在功率放大单元的二次谐波频率附近。因此,在具体应用中,可以根据功率放大单元的二次谐波频率,选择相应电容值的电容c1以及相应电感值的电感l1,以实现谐振频率的匹配;和/或,选择相应电容值的第二电容c2以及相应电感值的第二电感l2,以实现谐振频率的匹配。在具体实施中,电容c1可以是片上可调节的可调电容,通过调节电容c1的电容值,能够进一步改善射频功率放大器的宽带性能。相应地,第二电容c2也可以是片上可调节的可调电容,通过调节第二电容c2的电容值,能够进一步改善射频功率放大器的宽带性能。在图1与图2中,子滤波电路的结构与第二子滤波电路的结构相同。可以理解的是,子滤波电路的结构也可以与第二子滤波电路的结构不同。例如,子滤波电路包括电容c1,第二子滤波电路包括第二电容c2以及第二电感l2。又如,子滤波电路包括电容c1以及电感l1,第二子滤波电路包括第二电容c2。在具体实施中,输入端匹配滤波电路还可以包括寄生电容,寄生电容可以耦接在功率放大单元的输出端与功率放大单元的第二输出端之间。在具体实施中,输出端匹配滤波电路可以包括第三子滤波电路。射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分。
通过微处理器发出的第五控制信号和第六控制信号,控制电压源档位的切换,可切换第三mos管的栅极电压,从而调节驱动放大电路的放大倍数。通过调节驱动放大电路的放大倍数使射频功率放大器电路处于不同的增益模式中。第二电压信号vcc用于给第二mos管和第三mos管的漏级供电,其中,通过微处理器控制vcc的大小。在一些实施例中,当第二mos管和第三mos管的沟道宽度为2mm时,微控制器控制vcc为,控制电流源为12ma,控制电压源为,使射频功率放大器电路实现非负增益模式;微控制器控制vcc为,控制电流源为2ma,控制电压源为,使射频功率放大器电路实现负增益模式。显然,可以设置更多的电压源的档位和电流源的档位,通过切换不同的电压源档位、电流源档位,并对第二mos管和第三mos管的漏级的供电电压vcc进行控制,从而实现增益的线性调节。需要说明的是,第二偏置电路与偏置电路结构相同,其调节方法也与偏置电路相同,当第四mos管和第五mos管的沟道宽度为5mm时,微控制器控制第四mos管对应的电流源为45ma,控制第五mos管对应的电压源为,使射频功率放大器电路实现非负增益模式;微控制器控制第四mos管对应的电流为6ma,控制第五mos管对应的电压源为。微波固态功率放大器的工作频率高或微带电 路对器件结构元器件装配电路板布线腔体螺钉位置等都 有严格要求。北京短波射频功率放大器系列
交调失真有不同频率的两个或更多的输入信号经过功率放大器而产生的 混合分量由于功率放大器的非线性造成的。广西定制开发射频功率放大器研发
宽带pa通常采用cllc、lccl、两级或多级lc匹配。cllc结构,采用串联电容到地电感级联串联电感到地电容;lccl采用串联电感到地电容级联串联电容到地电感。这两种结构优点是结构较简单,插损较小;缺点是宽带性能一致性不好,在不同的频率性能不一致,而且谐波性能差。两级或多级lc结构,采用两级或多级串联电感到地电容级联在一起。这种结构优点是谐波性能好,可以实现宽带一致的阻抗变换;缺点是宽带性能一致性和插损之间存在折中,高频点插损较大。采用普通结构变压器实现功率合成和阻抗变换的pa,只采用变压器及其输入输出匹配电容。这种结构优点是结构相对简单,缺点是难以实现宽带功率放大器,宽带性能一致性差,谐波性能也较差。采用普通结构变压器级联lc匹配实现功率合成和阻抗变换的pa,采用变压器及其输入输出匹配电容,输出级联lc匹配滤波电路。这种结构优点是谐波性能好,可以实现宽带一致的阻抗变换;缺点是宽带性能一致性和插损之间存在折中,高频点插损较大。技术实现要素:本发明实施例解决的是如何实现射频功率放大器在较宽的频率范围内实现一致性的同时,具有较好的谐波性能和工作效率。为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种射频功率放大器。广西定制开发射频功率放大器研发
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