河北宽带功率放大器设计 能讯通信科技供应

   并且场效应管f1和第二场效应管f2的栅极连接至供电控制模块500，由供电控制模块500提供外部控制电压。其中场效应管f1和第二场效应管f2推荐为hemt（highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管）器件。大功率输出匹配单元410可以包括：电感l1至第五电感l5、电容c1至第三电容c3。电感l1、第三电感l3、第四电感l4，河北宽带功率放大器设计、第五电感l5和第三电容c3依次串联在大功率输出匹配单元410的输入端与输出端之间；电感l1和第三电感l3之间的节点通过第二电感l2接地，第三电感l3和第四电感l4之间的节点通过电容c1接地，第四电感l4和第五电感l5之间的节点通过第二电容c2接地。应该说明地是，图4为原理图，大功率输出匹配单元410实际通过相同拓扑的并联结构连接至宽带大功率放大器模块200的寄生输出参考面，即与宽带大功率放大器模块200的输出级各场效应管漏极相连，河北宽带功率放大器设计，河北宽带功率放大器设计，例如后续实施例中第四ganhemt管芯p4至第十一ganhemt管芯p11的漏极相连。低功率输出匹配单元420可以包括：第六电感l6至第八电感l8、第四电容c4；第六电感l6、第四电容c4和第八电感l8串联在低功率输出匹配单元420的输入端和输出端之间；第六电感l6和第四电容c4之间的节点通过第七电感l7接地。宽带放大技术在射频频段应用极为普遍，其频带之宽可覆盖整个发射机的工作频率范围。河北宽带功率放大器设计

    主要是因为：①在传统的分布式功率放大器中，放大电路是多个单晶体管采用分布式放大排列的方式实现，由于单晶体管受到寄生参数的影响，随着工作频率升高时，其功率增益会降低、同时功率特性等也会恶化，因此为了获得超宽带平坦的放大结构，必须要低频增益来均衡高频损耗，导致传统分布式放大器的超宽带增益很低；②为了提高放大器增益提高隔离度的影响，也有采用cascode双晶体管分布式放大结构，但是cascode双晶体管虽然增加了电路隔离度，却无法增益随频率恶化的趋势，也无法实现cascode双晶体管间的佳阻抗匹配，从而降低了输出功率特性。由此可以看出，基于集成电路工艺的超宽带射频功率放大器设计难点为：超宽带下高功率输出难度较大；传统单个晶体管结构或cascode晶体管的分布式放大结构存在很多局限性。技术实现要素：本实用新型所要解决的技术问题是提供一种二路分布式高增益宽带功率放大器，结合了三堆叠自适应放大网络技术、二维行波放大技术，具有宽带、高功率、高增益且成本低，供电网络简易等优点。本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种二路分布式高增益宽带功率放大器，其特征在于。江苏X波段宽带功率放大器值得推荐超宽带射频功率放大器1800-2700MHz100W.

    虽然图11的超宽带低功率放大器模块300和图10的宽带大功率放大器模块200均采用了中间级匹配网络210，但其具体电路构成有所差异，本领域基础技术人员可根据所属电路的输入输出需要进行设计。同样地，图11的超宽带低功率放大器模块300和图10的宽带大功率放大器模块200中采用的第二中间级匹配网络220的具体电路也可以根据所属电路的输入输出需要进行设计。超宽带低功率放大器模块300的输入信号经过级放大器即第十二ganhemt管芯p12放大后，通过中间级匹配网络210输入到第二级放大器即第十三ganhemt管芯p13放大后，再通过第二中间级匹配网络220输入到第三级放大器即第十四ganhemt管芯p14放大后输出，后续进入输出可重构匹配网络模块400进一步处理。本实施例中超宽带低功率放大器模块300采用6~18ghz超宽带低功率线性放大器，输出功率28dbm。因此，供电控制模块500可以为输入可重构匹配网络模块100和输出可重构匹配网络模块400中并联hemt器件的栅极提供外部控制电压，以及为两路放大器即宽带大功率放大器模块200和超宽带低功率放大器模块300中各级管芯栅极、漏极提供外部偏置电压。本发明提供的宽带可重构功率放大器为大动态范围宽带可重构放大器。

    本实用新型涉及场效应晶体管射频功率放大器和集成电路领域，特别是针对射频微波收发机末端的发射模块应用的一种二路分布式高增益宽带功率放大器。背景技术：随着无线通信系统和射频微波电路的快速发展，射频前端收发器也向高性能、高集成、低功耗的方向发展。因此市场迫切的需求发射机的射频与微波功率放大器具有高输出功率、高增益、高效率、低成本等性能，而集成电路正是有望满足该市场需求的关键技术。然而，当采用集成电路工艺设计实现射频与微波功率放大器芯片电路时，其性能和成本受到了一定制约，主要体现：(1)宽带高增益放大能力受限：传统单晶体管收到增益带宽积的影响，需要增益才能获得超宽带放大能力，因此，宽带高增益放大能力受到严重的限制。(2)宽带高功率放大能力受限：半导体工艺中晶体管的特征频率越来越高，由此带来了低击穿电压从而限制了单一晶体管的功率容量。为了获得高功率能力，往往需要多路晶体管功率合成，但是由于多路合成网络的能量损耗导致功率放大器的效率比较低，电路无法满足低功耗或者绿色通信需求。常见的超宽带高功率放大器的电路结构有很多，典型的是传统分布式放大器，但是，传统分布式放大器要同时满足各项参数的要求十分困难。功率放大器是数传发射机中的关键部件,它制约整个系统性能。

    微带线tl12与微带线tl13之间，微带线tl13与微带线tl14之间，微带线tl14与微带线tl15之间，微带线tl15与微带线tl16之间)为输出阻抗匹配网络的输入端，分别连接7个放大单元中场效应管q2的漏极，所述电阻r3为标准输出阻抗50欧姆。所述输入阻抗匹配网络与输出阻抗匹配网络中串联的电阻r2、电容c3，串联的电阻r3、电容c4，其作用在于反射信号能够被50欧姆电阻(电阻r2、电阻r3)吸收，从而提高输入、输出驻波，信号由输入阻抗匹配网络的输入端分别进入各个放大单元，经放大单元放大后由输出阻抗匹配网络输出合成输出。所述栅极偏置电路与第二栅极偏置电路结构相同，均包括串联连接的电阻r4、电容c6，电容c6的上端接地，所述栅极偏置电路中的电阻r4、电容c6之间接vg1端，栅极偏置电路中的电阻r4的右端连接输入阻抗匹配网络中微带线tl8与电阻r2之间；所述第二栅极偏置电路中的电阻r4、电容c6之间接vg2端，第二栅极偏置电路中的电阻r4的右端均连接在放大单元中电阻r1和电容c1之间，所述电阻r4的作用在于防止场效应管q1的栅极产生较大的电流，起到保护场效应管q1的作用。所述漏极偏置电路包括串联连接的微带线tl17、电容c7，所述电容c7的上端接地，微带线tl17、与电容c7之间接vd端。高频宽带射频功率放大器1000-3000MHz100W。深圳1-3G宽带功率放大器

在设计上传统窄带放大器的端口匹配，一般是按照低噪声或者共扼匹配来设计的，以此获得低噪声放大器。河北宽带功率放大器设计

    该第三场效应管f3和第四场效应管f4同样推荐为hemt器件。大功率输入匹配单元120可以包括：第十五电感l15至第十七电感l17、电阻r1、第九电容c9至第十一电容c11。第九电容c9、第十五电感l15和第十六电感l16，以及并联的电阻r1和第十一电容c11一起依次串联在大功率输入匹配单元120的输入端和输出端之间。且第十五电感l15和第十六电感l16之间的节点通过第十电容c10接地，第十七电感l17连接在第十六电感l16和电阻r1之间的节点与地之间。低功率输入匹配单元130可以包括：第十八电感l18至第二十电感l20、第二电阻r2、第十二电容c12至第十三电容c13。其中，第十九电感l19、第十二电容c12和第十八电感l18，以及并联的第二电阻r2和第十三电容c13一起依次串联在低功率输入匹配单元130的输入端和输出端之间，且第十二电容c12和第十八电感l18之间的节点通过第二十电感l20接地。该输入可重构匹配网络模块100的可重构原理和输出可重构匹配网络模块400的原理一样，利用并联hemt器件在导通和截止状态下的两种不同等效特性，将并联hemt器件等效的并联电容和到地电阻作为匹配网络的一个元件设计到网络中，通过控制hemt器件的状态，重组两种不同模式的匹配网络，进而实现模式重构。请参阅图8。河北宽带功率放大器设计

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